Ein PV-Wechselrichter im Leistungsbereich von 5-10kW wird auf Basis einer Cool SiC MOSFET Brücke von Infineon realisiert, im Labor vermessen und mit einem kommerziellen Si-basierten PV-Wechselrichter verglichen. Im Labor unter reproduzierbaren Bedingungen werden die Leistungskurven unter verschiedenen Lastbedingungen von beiden Systemen gemessen. Daraus können Verluste quantifiziert, Leistungsdichten berechnet und Effizienzsteigerungen bestimmt werden, um die Vorteile der neuen SiC-Technologie in PV-Wechselrichtern aufzuzeigen.